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DMG2307L
8.0
V GS =3.5V
8
V DS = 5.0V
T A = -55 ? C
T A = 125 ? C
V GS =3.0V
T A = 25 ? C
T A = 150 ? C
6.0
V GS =4.0V
6
T A = 85 ? C
V GS =4.5V
4.0
2.0
V GS =10V
V GS =2.5V
4
2
V GS =2.0V
0.0
0
0.5
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0.4
V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.2
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0.35
0.16
V GS = 4.5V
T A = 125 ? C
T A = 150 ? C
0.3
0.25
0.2
0.12
T A = 85 ? C
0.15
0.1
0.05
0.08
0.04
T A = 25 ? C
T A = -55 ? C
0
0
2
4
6
8
0
0
2 4 6
8
1.6
I D , DRAIN SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.2
I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
1.4
1.2
1
0.8
0.16
0.12
0.08
0.04
V GS =4.5V
I D =2A
V GS =10V
I D =2.7A
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (?C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG2307L
Document number: DS35414 Rev. 3 – 2
3 of 6
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
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相关代理商/技术参数
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DMG263020R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DMG264010R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DMG264020R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DMG264040R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DMG264050R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DMG264060R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
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